DDR5內(nèi)存都來了,DDR3內(nèi)存是不是要徹底退出歷史舞臺了?那得看什么應(yīng)用場景。
華邦電子今日宣布,將在未來10多年內(nèi)繼續(xù)供應(yīng)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)品,并且會持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),以確保滿足客戶的長期使用需求。
目前,DDR3出貨量占華邦DRAM總收入的30%,預(yù)計到2024年將增加至50%。
華邦DDR3 DRAM內(nèi)存主要是單顆1Gb、4Gb容量,只需1.35V電壓,就可以提供2133Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率(DDR3-2133),并且與1.5V DDR3 100%兼容。
華邦還透露,位于臺灣高雄的新建晶圓廠將于2022年第四季度啟用,采用更先進(jìn)的制造技術(shù),提升產(chǎn)能。
除了DDR3,華邦DRAM內(nèi)存產(chǎn)品還包括:128Mb-2Gb DDR2、512Mb-2Gb LPDDR2、LPDDR4x、LPDDR3、LPDDR、SDRAM。
它們普遍適用于需求4Gb或更少內(nèi)存的應(yīng)用, 如人工智能加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)用、電信、Wi-Fi 6、Wi-Fi 6E、xDSL、光纖網(wǎng)絡(luò)、智能電視、機(jī)頂盒、IP攝像頭等。
關(guān)鍵詞: DDR5內(nèi)存 華邦電子 芯片產(chǎn)品 持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)